壓電石英水晶種植成功之后，需要經(jīng)過切片以及打磨，在經(jīng)過清洗，要把晶片表面的灰塵清洗干凈，以及處理打磨過程中預留的殘渣，水晶片是所以石英頻率元件中最為關(guān)鍵的一個環(huán)節(jié)，如果是水晶片本身出現(xiàn)問題，那么將影響到成品的質(zhì)量。所以壓電石英水晶片的要求是：晶片表面光潔明亮、無水跡、無污點，無劃傷、無裂痕, 處理后的表面應光亮, 平滑, 顯微粗糙度小、缺陷少。首先水晶片要經(jīng)過清洗機，以及超聲波，在甩干，目前我們采用的是酸液清洗再加超聲清洗的辦法。就好像壓電陶瓷霧化片在切割之后也需要經(jīng)過清洗在經(jīng)過超聲波一樣，都是需要保持干凈明亮，以最高的要求達到標準。
然后在晶片上鍍膜，這樣生產(chǎn)出來的聲表面波濾波器才能達到最高的品質(zhì)。
目的：在晶片表面形成一層金屬薄膜(Al)，以便隨后刻印圖形。
要求：晶片表面鋁層光潔明亮、無發(fā)灰、無污點，無氣泡，鋁層接合牢固，不脫落，鋁層表面無劃傷，無裂痕，達到要求的鋁層厚度。
設備：鍍膜機(CVC601，BAK640)、臺階儀(Alpha-Step 200)
蒸發(fā)：對淀積薄膜的源材料施加熱能或動能，使之分解為原子或原子的集合體，并結(jié)合或凝聚在晶片表面，形成薄膜。電子束蒸發(fā)是利用高能聚焦電子束打到蒸發(fā)源表面，使之熔化并蒸發(fā)到晶片表面上，形成薄膜。產(chǎn)生電子束的電子槍分環(huán)形槍、直槍(皮爾斯槍)和e型槍(即270度偏轉(zhuǎn)電子槍)等。環(huán)形槍功率和效率均很低，直槍的蒸發(fā)源會污染槍體，我們目前使用的主要是e型槍電子束蒸發(fā)裝置。
蒸發(fā)過程必須在真空室內(nèi)進行，如果真空室內(nèi)殘存大量氣體分子，則會產(chǎn)生以下質(zhì)量問題：（優(yōu)質(zhì)的晶片，可以制作成高精度的晶振，以及濾波器系列）
1、蒸發(fā)粒子的直線運動受到殘余氣體分子的碰撞而形成霧狀微粒，難以制備均勻平整的薄膜。
2、殘余空中的活性分子(如氧分子)與金屬原子形成化合物。
3、殘余空氣分子進入薄膜形成雜質(zhì)。
4、蒸發(fā)加熱器、蒸發(fā)源等與殘離，在35cm以內(nèi)。
5、為使鋁膜光亮，打開擋板不可過早，蒸發(fā)速率不可過小，充氣取片也不可過早，否則鋁膜和坩堝內(nèi)的鋁錠會嚴重氧化。 
6、電子束蒸發(fā)工藝的沾污源主要來自系統(tǒng)，對真空室內(nèi)所有工件的清洗是極為必要的。
7、膜厚控制。電子束加熱蒸發(fā)，只要控制好電子束功率，蒸發(fā)速率的重復性就相當好，輔以控制蒸發(fā)時間，便可獲得所需要的膜厚。
磁控濺射是一種較新型的濺射技術(shù)，它是建立在二極濺射的基礎上，即在陰極的后面設置一永恒磁鐵或電磁鐵，從而產(chǎn)生一個靠近且平行于靶表面的磁場。此磁場同陰極和陽極間的電場相互垂直，在電場和磁場的共同作用下，電子(主要是二次電子)在磁力線與靶表面所包圍的狹小空間作螺旋運動，這就大大提高了電子與濺射氣體原子的碰撞機率，從而提高了濺射速率。磁控濺射與其它濺射技術(shù)相比有如下特點：
1、濺射速率高；
2、在較低的電壓(300一700V)及濺射壓力(0.13～1.3kpa)  可獲較大的功率密度，濺射效率大大提高，淀積膜的質(zhì)量較好，晶片受到的輻射損傷輕；
3、襯底溫度較低；
4、濺射條件容易控制，重復性好；
5、便于連續(xù)生產(chǎn)，生產(chǎn)效率高；
6、膜的晶粒尺寸容易控制；
7、可采用直流電源或射頻電源：采用射頻電源時也可濺射非金屬材料，如SiO2等；
8、為獲得高質(zhì)量的臺階覆蓋，磁控濺射也可采用加偏壓濺射 。
磁控濺射可能存在的一些問題：
1、等離子體輝光放電不正常
2、鋁層顏色不正常，有灰暗渾濁區(qū)域
3、2里面的（晶片）上AL膜臺階覆蓋不良
4、AL膜反光度不好
5、可焊性差
6、均勻性不好
目的：把掩膜版上的器件圖形復制到晶片上。
要求：光刻完成后，圖形指條清晰，指條邊緣整齊、無殘缺，斷指、連指的面積應小于一定比例 (在總面積的20%以下)。
設備：勻膠機，光刻機，顯影機，烘箱，顯微鏡
光刻是聲表制造中最關(guān)鍵的步驟，需要高性能以便結(jié)合其它工藝來獲得高成品率。光刻技術(shù)的關(guān)鍵材料是光刻膠，它是一種聚合可溶解物，被臨時涂在晶片表面，僅是為了必要圖形的轉(zhuǎn)移，一旦圖形經(jīng)過刻蝕，就要被去掉。其實壓電石英晶片跟壓電陶瓷晶振還是有很多的區(qū)別，一個是石英晶體片，一個是陶瓷混合片，石英晶體片可以制作成多款元件系列產(chǎn)品。